|
Разделы Главная Искусство и культура Кибернетика Метрология Микроэкономика Мировая экономика МЭО РЦБ ценные бумаги САПР ТГП Теория вероятностей ТММ Автомобиль и дорога Компьютерные сети Конституционное право зарубежныйх стран Конституционное право России Краткое содержание произведений Криминалистика и криминология Военное дело игражданская оборона География и экономическая география Геология гидрология и геодезия Спорт и туризм Рефераты Физика Физкультура и спорт Философия Финансы Фотография Музыка Авиация и космонавтика Наука и техника Кулинария Культурология Краеведение и этнография Религия и мифология Медицина Сексология Информатикапрограммирование |
ТранзисторыТранзисторыФилиал Санкт-Петербургского государственного инженерно-экономического университета в городе Пскове Курсовая работа по ТОПТу на тему: Транзисторы Выполнил: студент группы 3350 1 курса факультета экономики и управления на предприятии городского хозяйства Иванов Сергей Васильевич Научный руководитель: Марков Виктор Николаевич Псков 2004 Содержание Введение…………………………………………………………….2 Электронно – дырочный p – n переход …………………...……3-4 Биполярные транзисторы…………………………………….…..5-6 Усилительные свойства биполярных транзисторов………....…7-11 Частотные свойства транзисторов……………………….. ….…12-15 Шумовые характеристики транзисторов …………………..…….16 Полевые транзисторы. Общие сведения………….………………17 Принцип действия и устройство полевого транзистора с p – n переходом…………………………………………………………18-21 Эквивалентная схема замещения полевого транзистора………22-27 Заключение…………………………………………………………28 Список литературы………………………………………………...29 |
|