Максимальное напряжение питания	5,5 В
Напряжение на входах относительно земли	-0,5...+7 В
Максимальный выходной ток	100 мА
Температура окружающей среды	-10…+70 0С

Микросхема КР580 ГФ24

Микросхема представляет собой генератор тактовых импульсов. Предназначена для управления центральным МП (КР580ВМ80А) и осуществляет: сброс программы МП; запуск синхронизирующего триггера; формирование тактовых сигналов с несовпадающими фазами; формирование импульса строба - состояния. Содержит 526 интегральных элементов. Корпус типа 238.16-2, масса не более 2 г.

Рисунок 6 - Микросхема КР580 ГФ24

Таблица 13 - Назначение выводов ИМС КР580 ГФ24

Вывод	Назначение	Функциональное назначение
1	SR	установка в исходное состояние микропроцессора и системы
2	RESIN	установка 0
3	RDYIN	сигнал "готовность"
4	RDY	сигнал "готовность"
5	SYN	сигнал синхронизации
6	C	тактовый сигнал, синхронный с фазой С2
7	STB	стробирующий сигнал состояния
8	GND	общий
9	Ucc2	напряжение питания +12В±5%
10	C2	тактовые сигналы фаза С2
11	C1	тактовые сигналы фаза С1
12	OSC	тактовый сигнал опорной части
13	TANK	вывод для подключения колебательного контура
14, 15	XTAL1, XTAL2	выводы для подключения резонатора
16	Ucc1	напряжение питания +5В±5%

Таблица 14 - Электрические параметры ИМС КР580ГФ24

Номинальное напряжение питания UN1	5В ± 10%
Номинальное напряжение питания UN2	12В ± 10%
Выходное напряжение низкого уровня	≤ 0,45 В
Выходное напряжение высокого уровня по выводам 10, 11	≥ 9,4 В
Выходное напряжение высокого уровня по выводам 1, 4	≥ 3,6 В
Выходное напряжение высокого уровня по остальным выводам	≥ 0,25 В
Напряжение гистерезиса по входу 2	≥ 0,25 В
Ток потребления от источника питания UN1	≤ 115 мА
Ток потребления от источника питания UN2	≤ 12 мА
Входной ток низкого уровня	≤ \|-0,25\| мА
Время задержки распространения тактового сигнала ТТЛ относительно тактового сигнала второй фазы	-5…+15нс
Время перехода тактового сигнала первой или второй фазы при выключении (включении)	≤ 25 нс
Максимальная частота генерации (fОП)	27 МГц
Период следования фаз	9/ fОП мкс
Входная емкость	≤ 8 пФ

Таблица 15 - Предельно допустимые режимы эксплуатации

Максимальное напряжение питания выходных каскадов МОП	12,6 В
Максимальное напряжение питания выходных каскадов ТТЛ	5,25 В
Минимальное напряжение питания выходных каскадов МОП	11,4 В
Минимальное напряжение питания выходных каскадов ТТЛ	4,75 В
Максимальное напряжение на выводах относительно вывода "корпус" низкого уровня	0,8 В
Максимальное напряжение на выводах относительно вывода "корпус" высокого уровня	5,25 В
Максимальный выходной ток высокого уровня по выводам 6, 7, 12	-1 мА
Максимальный выходной ток высокого уровня по выводам 1, 4, 10, 11	-0,1 мА
Максимальный выходной ток низкого уровня по выводам 6, 12	10 мА
Максимальный выходной ток низкого уровня по выводам 1, 4, 7, 10, 11	2,5 мА
Температура окружающей среды	-10…+70 0С

Микросхема КР580ИР82

Микросхема представляет собой 8-разрядный буферный регистр неинвертирующий (D-регистр "защелка" с тремя состояниями на выходе). Предназначена для ввода-вывода информации со стробированием в микропроцессорных системах, на ИС серии КР580. Может быть использована в качестве буферного регистра в вычислительных системах и устройствах дискретной автоматики. Состоит из 8 функциональных блоков (D -триггер и мощный выходной вентиль без инверсии) и схемы управления. Обладает повышенной нагрузочной способностью. В зависимости от состояния стробирующего сигнала может работать в режимах шинного формирователя или хранения. Содержит 520 интегральных элементов. Корпус типа 2140.20-2, масса не более 4 г.

Рисунок 7 - Микросхема КР580ИР82

Таблица 16 - Назначение выводов ИМС КР580ИР82

Вывод	Назначение	Функциональное назначение
1-8	D7-D0	информационная шина
9	OE	размещение передачи (управление 3 состоянием)
10	GND	общий
11	STB	стробирующий сигнал
12-19	Q7-Q0	информационная шина
20	Uсс	напряжение питания +5±5%

Таблица 17 - Электрические параметры ИМС КР580ИР82

Номинальное напряжение питания	5В ± 10%
Выходное напряжении низкого уровня при I0вых = 32 мА	≤ 0,45В
Выходное напряжение высокого уровняпри I1вых = -5 мА	≥ 2,4В
Прямое падение напряжения на антизвонном диоде при Iвх = -5 мА	≤ \|-1\| В
Ток потребления при Un= 5,25 В	≤ 160 мА
Входной ток низкого уровня	≤ \|-0,2\| мА
Входной ток высокого уровня	≤ 50 мкА
Выходной ток в состоянии "выключено" низкого уровня	≤ \|-50\| мкА
Выходной ток в состоянии "выключено" высокого уровня	≤ 50 мкА
Время задержки распространения информационного сигнала на выходе относительно информационного сигнала на входе	≤ 30 нс
Время задержки распространения информационного сигнала на выходе относительно сигнала строба	≤45 нс
Время задержки распространения информационного сигнала на выходе относительно сигнала разрешения выхода при Сн = 300 пФ	10…30 нс
Время установления информационного сигнала на входе относительно сигнала строба	≥0 нс
Время сохранения информационного сигнала на входе относительно сигнала строба	≥ 25 нс
Длительность импульса сигнала строба	≥ 15 нс
Время перехода при выключении (включении)	≤ 20 (12) нс
Входная емкость	≤ 12 пФ

Таблица 18 - Предельно допустимые режимы эксплуатации

Максимальное напряжение питания	5,5 В
Минимальная длительность тактовых импульсов	15 нс
Максимальная длительность фронта и среза выходного импульса	200 нс
Температура окружающей среды	-10…+60 0С

Микросхема К555ИД7

Микросхема представляет собой двоичный дешифратор на восемь направлений. Содержит 203 интегральных элемента. Корпус типа 238.16-2, масса не более 1,2 г.

Рисунок 8 - Микросхема К555ИД7

Таблица 19 - Назначение выводов ИМС К555ИД7

Вывод	Назначение	Функциональное назначение
1-3	D0- D2	вход D0-D2
4	CS2	вход разрешения V2
5	CS3	вход разрешения V3
6	CS1	вход разрешения V1
7	Q7	выход 7
9	Q6	выход 6
10	Q5	выход 5
11	Q4	выход 4
12	Q3	выход 3
13	Q2	выход 2
14	Q1	выход 1
15	Q0	выход 0
8	GND	общий
16	Ucc	напряжение питания

Таблица 20 - Электрические параметры ИМС К555ИД7

Номинальное напряжение питания	5В ± 5%
Выходное напряжении низкого уровня	≤ 0,48В
Выходное напряжение высокого уровня	≥ 2,9В
Ток потребления	≤ 9,7 мА
Входной ток низкого уровня	≤ \|-0,34\| мА
Входной ток высокого уровня	≤ 3 мкА
Потребляемая мощность	51 мВт
Время задержки распространения при включении по выводам от 4 до 15	≤ 18 нс
Время задержки распространения при включении по выводам от 1, 2, 3 до 15	≤ 20 нс
Время задержки распространения при включении по выводам от 1, 2, 3 до 7	≤ 27 нс
Время задержки распространения при включении по выводам от 6 до 7, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15	≤ 26 нс
Время задержки распространения при выключении по выводам от 4 до 15	≤ 32 нс
Время задержки распространения при выключении по выводам от 1, 2, 3 до 15	≤ 41 нс
Время задержки распространения при выключении по выводам от 1, 2, 3 до 7	≤ 39 нс
Время задержки распространения при выключении по выводам от 6 до 7, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15	≤ 38 нс
Коэффициент разветвления по выходу	10

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5